Modul 1-Tugas Pendahuluan 2



 1. Kondisi[kembali]

Modul 1 Percobaan 2 Kondisi 5
Buatlah rangkaian seperti pada modul percobaan, Kemudian buatlah kondisi dengan inputan berupa saklar SPDT.  . ·  Rangkaian Encoder : D0 = 1, D4 = 1, D5' = 0, D8 = 1, D9 = 1

 2. Gambar Rangkaian Simulasi [kembali]


 3. Video Simulasi [kembali]



 4. Prinsip Kerja Rangkaian [kembali]

        Prinsip kerja rangkaian pada Percobaan 2 Kondisi 5 ini adalah merealisasikan fungsi encoder dengan menggunakan IC 74LS147 dan input dari saklar SPDT. Encoder berfungsi untuk mengubah sinyal input dari beberapa jalur menjadi kode biner yang lebih singkat. Pada rangkaian ini, terdapat sembilan saklar (SW0–SW9) yang mewakili input D0 sampai D9. Ketika salah satu saklar diaktifkan (diberi logika aktif), maka IC 74LS147 akan menghasilkan keluaran berupa kombinasi biner pada Q0–Q3 sesuai dengan nomor input yang ditekan.

IC 74LS147 ini termasuk encoder prioritas aktif low, artinya input yang bernilai 0 (low) dianggap aktif, dan jika ada lebih dari satu input ditekan bersamaan, maka IC akan memberikan prioritas pada input dengan angka yang lebih tinggi. Misalnya, jika D6 dan D7 sama-sama aktif, maka keluaran akan menunjukkan kode biner untuk D7.

 5. Link Download [kembali]

    File Rangkaian (disini)
    Video Simulasi (disini)












Komentar

Posting Komentar

Postingan populer dari blog ini

Detektor non-inverting dengan Vref = 0

Gambar
[KEMBALI KE MENU SEBELUMNYA] DAFTAR ISI 1. Pendahuluan 2. Tujuan 3. Alat dan Bahan 4. Dasar Teori 5. Percobaan    a) Prosedur    b) Rangkaian simulasi    c) Video Simulasi 6. Download File   1. Pendahuluan [kembali] Dalam dunia elektronika, khususnya rancangan sirkuit, kita sering dihadapkan dengan sinyal yang perlu dimanipulasi. Salah satu cara manipulasi sinyal adalah dengan menggunakan detektor. Detektor non inverting adalah jenis detektor yang memiliki fungsi untuk memproses sinyal input tanpa membalikkan fasenya. Secara sederhana, detektor non inverting akan menghasilkan sinyal output yang identik dengan sinyal input namun bisa saja mengalami perubahan amplitudo (penguatan) atau penambahan level tegangan (offset). Detektor non inverting banyak digunakan dalam berbagai aplikasi, seperti: Penguat sinyal lemah Penjumlah sinyal Penyesuaian level tegangan Antarmuka antara sinyal level rendah dengan lev...
Baca selengkapnya

2.2 Load-Line Analysis

Gambar
[KEMBALI KE MENU SEBELUMNYA] DAFTAR ISI 1. Pendahuluan 2. Tujuan 3. Alat dan Bahan 4. Dasar Teori 5. Percobaan    a) Prosedur    b) Rangkaian simulasi    c) Video Simulasi 6. Download File   1. Pendahuluan [kembali] Analisis garis muatan (load line analysis) adalah teknik yang digunakan dalam elektronika untuk memahami karakteristik operasional suatu rangkaian elektronik yang diberi beban. Rangkaian elektronik sering kali terdiri dari sumber daya (misalnya sumber tegangan atau arus) dan beban (seperti resistor, dioda, atau transistor). Load line analysis membantu dalam menentukan titik kerja (operating point) dari komponen aktif. Dioda adalah komponen semikonduktor dengan dua terminal,  anoda  dan katoda, yang biasa digunakan untuk mengatur  arus  dalam satu arah (dari anoda ke katoda) dan memblokir arus dalam arah yang berlawanan. Dioda merupakan salah satu komponen dasar  ele...
Baca selengkapnya

7.8 Enhanncement-Type MOSFETs

Gambar
[KEMBALI KE MENU SEBELUMNYA] DAFTAR ISI 1. Pendahuluan 2. Tujuan 3. Alat dan Bahan 4. Dasar Teori 5. Percobaan    a) Prosedur    b) Rangkaian simulasi    c) Video Simulasi 6. Download File   1. Pendahuluan [kembali] MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) adalah suatu transistor dari bahan semikonduktor (silikon) dengan tingkat konsentrasi ketidakmurnian tertentu. Tingkat dari ketidakmurnian ini akan menentukan jenis transistor tersebut, yaitu transistor MOSFET tipe-N (NMOS) dan transistor MOSFET tipe-P (PMOS). Bahan silicon digunakan sebagai landasan (substrat) dari penguras (drain), sumber (source), dan gerbang (gate). Selanjutnya transistor dibuat sedemikian rupa agar antara substrat dan gerbangnya dibatasi oleh oksida silikon yang sangat tipis. Oksida ini diendapkan di atas sisi kiri dari kanal, sehingga transistor MOSFET akan mempunyai kelebihan dibanding dengan transistor BJT (...
Baca selengkapnya