M2-Laporan Akhir 2



 1. Jurnal[kembali]


 2. Alat dan Bahan [kembali]


Gambar 2.1 DL2203C Module D’Lorenzo 

Gambar 2.2 DL2203S Module D’Lorenzo 

Gambar 2.3 Jumper

Alat yang di gunakan :

1. Panel DL 2203C
2. Panel DL 2203S
3. Jumper.

 3. Rangkaian Simulasi [kembali]

        Percobaan 2


Rangkaian pada modul

Rangkaian Pada Percobaan

       

 4. Prinsip Kerja Rangkaian [kembali]

Prinsip Kerja T Flip Flop

T Flip Flop sebenarnya bisa diperoleh dari J-K Flip Flop dengan menghubungkan j dan k akan menjadi satu input yaitu T. Pada rangkaian ini, saklar B1 dihubungkan ke set (S),  T dihubungkan ke Vcc sehingga memberi logika 1 ke input (T=1), B0 dihubungkan ke reset (R), dan B2 diabaikan karena don’t care.

Dengan B0=0, maka input reset dalam keadaan aktif, artinya keluaran Q akan dipaksa menjadi 0 secara asinkron, tanpa menunggu pulsa clock. 

Secara umum:

  • Jika T=0, maka setiap tepi clock flip flop tidak berubah (hold).

  • Jika T=1, maka pada setiap falling edge clock, keluaran Q akan toggle.

  • Tetapi pada kondisi khusus percobaan ini, karena reset aktif (B0=0), maka output Q dipaksa 0 meskipun T=1.

 5. Video Rangkaian [kembali] 


Percobaan 2

 6. Analisa [kembali]

 7. Link Download [kembali]















   

    


Komentar

Posting Komentar

Postingan populer dari blog ini

Detektor non-inverting dengan Vref = 0

Gambar
[KEMBALI KE MENU SEBELUMNYA] DAFTAR ISI 1. Pendahuluan 2. Tujuan 3. Alat dan Bahan 4. Dasar Teori 5. Percobaan    a) Prosedur    b) Rangkaian simulasi    c) Video Simulasi 6. Download File   1. Pendahuluan [kembali] Dalam dunia elektronika, khususnya rancangan sirkuit, kita sering dihadapkan dengan sinyal yang perlu dimanipulasi. Salah satu cara manipulasi sinyal adalah dengan menggunakan detektor. Detektor non inverting adalah jenis detektor yang memiliki fungsi untuk memproses sinyal input tanpa membalikkan fasenya. Secara sederhana, detektor non inverting akan menghasilkan sinyal output yang identik dengan sinyal input namun bisa saja mengalami perubahan amplitudo (penguatan) atau penambahan level tegangan (offset). Detektor non inverting banyak digunakan dalam berbagai aplikasi, seperti: Penguat sinyal lemah Penjumlah sinyal Penyesuaian level tegangan Antarmuka antara sinyal level rendah dengan lev...
Baca selengkapnya

2.2 Load-Line Analysis

Gambar
[KEMBALI KE MENU SEBELUMNYA] DAFTAR ISI 1. Pendahuluan 2. Tujuan 3. Alat dan Bahan 4. Dasar Teori 5. Percobaan    a) Prosedur    b) Rangkaian simulasi    c) Video Simulasi 6. Download File   1. Pendahuluan [kembali] Analisis garis muatan (load line analysis) adalah teknik yang digunakan dalam elektronika untuk memahami karakteristik operasional suatu rangkaian elektronik yang diberi beban. Rangkaian elektronik sering kali terdiri dari sumber daya (misalnya sumber tegangan atau arus) dan beban (seperti resistor, dioda, atau transistor). Load line analysis membantu dalam menentukan titik kerja (operating point) dari komponen aktif. Dioda adalah komponen semikonduktor dengan dua terminal,  anoda  dan katoda, yang biasa digunakan untuk mengatur  arus  dalam satu arah (dari anoda ke katoda) dan memblokir arus dalam arah yang berlawanan. Dioda merupakan salah satu komponen dasar  ele...
Baca selengkapnya

7.8 Enhanncement-Type MOSFETs

Gambar
[KEMBALI KE MENU SEBELUMNYA] DAFTAR ISI 1. Pendahuluan 2. Tujuan 3. Alat dan Bahan 4. Dasar Teori 5. Percobaan    a) Prosedur    b) Rangkaian simulasi    c) Video Simulasi 6. Download File   1. Pendahuluan [kembali] MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) adalah suatu transistor dari bahan semikonduktor (silikon) dengan tingkat konsentrasi ketidakmurnian tertentu. Tingkat dari ketidakmurnian ini akan menentukan jenis transistor tersebut, yaitu transistor MOSFET tipe-N (NMOS) dan transistor MOSFET tipe-P (PMOS). Bahan silicon digunakan sebagai landasan (substrat) dari penguras (drain), sumber (source), dan gerbang (gate). Selanjutnya transistor dibuat sedemikian rupa agar antara substrat dan gerbangnya dibatasi oleh oksida silikon yang sangat tipis. Oksida ini diendapkan di atas sisi kiri dari kanal, sehingga transistor MOSFET akan mempunyai kelebihan dibanding dengan transistor BJT (...
Baca selengkapnya